CVD System zum Abscheiden von Graphen auf verschiedenen Substraten. Geeignet zur atmosphärischen Prozessführung sowie in Vakuumumgebung (50mTorr - 500 Torr). Eine Inertgaslinie (Stickstoff/Argon, bis 2 SLPM) und drei Prozessgaslinien für Methan und Wasserstoff (niedrige/hohe Flussrate) bei bis zu 3/10/200 SCCM. Drei Zonen Widerstandsheizung für Kammertemperaturen bis 1100°C mit PID-Regelung. Nutzbares Kammervolumen ca. D50x200mm.

Mit HIPAC Magnetron Sputter und APA ARC-Verdampfertechnologie zum Abscheiden unterschiedlicher Schichtsysteme (Hartstoff- oder reibungsarme Kohlenstoffschichten) sowie separatem AEGD-Verdampfer zum Plasma-Ionenreinigen; nutzbares Beschichtungsvolumen max. ca. Ø 300 mm x 300 mm Höhe; Substratdrehantrieb bis 300 kg; gepulste BIAS-Versorgung mit max. 12 A bei 1.000 V bzw. max. 25 A bei 500 V; inkl. Reinigungsstraße zur Substratvorbehandlung und Kalottenschliffgerät zur Schichtbeurteilung