Bei der Rasterelektronenmikroskopie wird mittels eines fokussierten, beschleunigten Elektronenstrahls die Oberfläche einer Probe abgetastet.

Die auf die Probe treffenden Primärelektronen (PE) regen die Atome des Werkstoffes an, aus denen sich Sekundärelektronen (SE) lösen und in die Probenkammer austreten. Diese werden von einem Detektor angezogen und zu einem Bild verarbeitet.

Mittels dieser Methode kann die Topografie der Oberfläche dargestellt werden. EinigeTeile der Primärelektronen werden auch zurückgestreut (Rückstreuelektronen, RE). Je nach Element unterscheidet sich die Zahl der zurückgestreuten Elektronen, so dass auch diese als Bildinformation genutzt werden können. Somit lässt sich ein Elementkontrast in dem Bild erzielen.